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- 型号： IRF740R
- 制造商： Harris
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF740R由Harris设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF740R价格参考。HarrisIRF740R封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRF740R参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF740R 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRF740R并非Harris Corporation（哈里斯公司）的产品，而是由国际整流器公司（International Rectifier，现属英飞凌Infineon Technologies）设计和生产的N沟道增强型功率MOSFET。Harris Corporation主要专注于通信、航空航天、国防电子系统及集成电路（如FPGA、射频器件等），并不生产或销售IRF740系列MOSFET。 IRF740R（常见封装为TO-220AB）典型参数包括：耐压400V、连续漏极电流10A（Tc=25°C）、导通电阻约0.55Ω（典型值）、栅极电荷约63nC。其应用场景主要包括： - 开关电源（SMPS）中的主开关管或PFC升压开关； - 电机驱动电路（如直流有刷电机、小功率步进电机的H桥驱动）； - 逆变器与UPS系统中的DC-AC转换级； - 电子镇流器、LED恒流驱动及工业控制中的中等功率斩波/调制电路； - 实验教学与原型开发中作为通用高压MOSFET使用。 需注意：该器件为非逻辑电平驱动型，推荐栅极驱动电压10V以上以确保充分导通；实际应用中须配合合理散热与过压/过流保护设计。若项目涉及Harris品牌器件选型，建议核实型号准确性，或参考其真实产品线（如HFA/HS系列高速模拟开关、RF放大器等）。
产品参数
图文手册
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