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详细数据请看参考数据手册
- 型号： IRF723
- 制造商： Harris
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF723由Harris设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF723价格参考。HarrisIRF723封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRF723参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF723 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRF723 是由 International Rectifier（现属 Infineon Technologies）生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET，并非 Harris Corporation 的产品。Harris Corporation（哈里斯公司）历史上主营通信、国防电子、半导体（如数字逻辑、模拟接口芯片等），但从未设计或量产 IRF723 这一型号；该器件属于 IR（International Rectifier）的 HEXFET® 系列，后随 IR 被英飞凌收购，现归入英飞凌产品线。 IRF723 主要参数：VDS = 400 V，ID（连续）= 2.9 A（TC=25°C），RDS(on) ≈ 1.8 Ω（VGS=10 V），采用 TO-220 封装。其典型应用场景包括： - 中功率开关电源：如 AC-DC 辅助电源、反激式/正激式变换器中的初级侧开关（适用于中小功率适配器、工业电源）； - 电机控制：驱动小型直流电机、步进电机相绕组或风扇控制（需配合续流二极管与驱动电路）； - 照明电子镇流器与LED驱动：用于高频斩波调光或恒流控制回路； - 继电器/电磁阀替代开关：在工业控制板中实现固态开关功能，提升可靠性与寿命； - 电池保护与充电管理：作为充放电路径的主控MOSFET（需注意其耐压与导通损耗适配性）。 需注意：该器件为老型号，已逐步被更低 RDS(on)、更高效率的现代 MOSFET（如英飞凌 OptiMOS™ 系列）替代；设计时应核查最新数据手册并评估热设计与驱动能力。
产品参数
图文手册
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