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- 型号： IRF721R
- 制造商： Harris
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF721R由Harris设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF721R价格参考。HarrisIRF721R封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRF721R参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF721R 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRF721R 是一款已停产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（由国际整流器公司 IR 推出），采用 TO-220AB 封装，额定参数为：VDS = 100 V，ID（连续）≈ 3.3 A（TC = 25°C），RDS(on) 典型值约 0.4 Ω。需注意：该型号后缀“R”常指“无铅”版本，但其技术规格与主流 IRF720/IRF721 系列接近；实际应用中应以官方数据手册为准，且目前市场上已极少流通，多被 IRF720、IRFZ44N 或更新的贴片型号（如 IRLZ44N、Si2302）替代。 典型应用场景包括： • 中小功率开关电源中的同步整流或主开关管（适用于≤50 W AC/DC 或 DC/DC 转换器）； • 直流电机驱动（如玩具、小型风扇、打印机进纸机构等低电流直流有刷电机的 PWM 调速）； • 继电器/电磁阀驱动电路（作为固态开关替代机械触点，提升可靠性）； • 电池供电设备中的负载开关或电源通断控制（如便携仪器、LED 照明调光模块）； • 教学实验与原型开发（因 TO-220 封装易于焊接和散热，适合初学者理解 MOSFET 开关特性）。 注意事项：IRF721R 为标准逻辑电平 MOSFET（VGS(th) ≈ 2–4 V），但完全导通通常需 ≥10 V 驱动电压；在高频或大电流场景下，其导通损耗与开关速度已落后于现代器件，不推荐用于高效率、高密度或高可靠性工业产品。建议新设计优先选用兼容引脚、性能更优的替代型号，并核实供货状态与认证要求。
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