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- 型号： IRF710R
- 制造商： Harris
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF710R由Harris设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF710R价格参考。HarrisIRF710R封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRF710R参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF710R 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRF710R（由International Rectifier生产，后被Infineon收购；Harris Corporation 并非该型号的制造商，可能存在品牌混淆）是一款N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-220AB封装，典型参数包括：VDS = 400 V、ID = 3.5 A（连续）、RDS(on) ≈ 3.6 Ω（@ VGS = 10 V）。需特别说明：Harris Corporation 主要从事通信、航空航天与电子系统集成，并不设计或生产分立功率MOSFET；IRF710R实为IR（International Rectifier）的经典型号。 其主要应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）：用于反激式、正激式变换器的初级侧开关，适用于中小功率AC-DC适配器、工业电源等； 2. 电机控制：驱动小型直流电机或步进电机的H桥/半桥电路（需搭配驱动IC及保护措施）； 3. 照明电子镇流器：在荧光灯或LED驱动电路中作高频开关元件； 4. 继电器/电磁阀驱动：替代机械继电器，实现固态开关控制； 5. 电池管理与保护电路：如充放电路径控制（限于低压、低频场景）。 注意：因RDS(on)较高、开关速度中等，IRF710R适用于几十kHz以下、对效率要求不极端严苛的中低频开关应用；现代设计中多被更低导通电阻、更优开关特性的新型MOSFET（如Infineon OptiMOS系列）替代。使用时须确保栅极驱动电压充足（≥10 V）、配备足够散热及过压/过流保护。
产品参数
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