Datasheet下载- 型号： IRF6722MTRPBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF6722MTRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF6722MTRPBF价格参考。International RectifierIRF6722MTRPBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRF6722MTRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF6722MTRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRF6722MTRPBF（Infineon Technologies）是一款N沟道增强型功率MOSFET，采用DirectFET®封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值仅1.9 mΩ @ Vgs=10V）、高电流能力（ID=80A）、快速开关特性及优异的热性能。其主要应用场景包括： - 高效DC-DC电源转换：广泛用于服务器/通信设备的POL（Point-of-Load）稳压器、VRM（电压调节模块）中，作为同步整流开关，提升转换效率（尤其在12V输入、低电压大电流输出场景）； - 电机驱动：适用于中小功率BLDC电机控制器（如风扇、泵、电动工具）的半桥/全桥上/下管，得益于低开关损耗与强抗dv/dt能力； - 电池管理系统（BMS）：用作充放电主回路保护开关或均衡开关，支持高持续电流与低功耗； - LED照明驱动：在高密度LED驱动电源中承担PWM调光开关或次级侧同步整流； - 工业电源与UPS：用于高频LLC谐振变换器、有源钳位正激等拓扑的主开关或同步整流器件。 该器件支持10V栅极驱动，兼容主流PWM控制器；无铅、符合RoHS，且DirectFET封装提供更优散热路径，适合紧凑型高功率密度设计。注意需配合合理PCB布局（低感通路、充足铜箔散热）及栅极驱动优化（避免振荡与过冲），以充分发挥其性能优势。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | International Rectifier |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IRF6722MTRPBF |
| PCN其它 | |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.4V @ 50µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1300pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 17nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 7.7 毫欧 @ 13A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 供应商器件封装 | DIRECTFET™ MP |
| 功率-最大值 | 2.3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | DirectFET™ 等容 MP |
| 标准包装 | 4,800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 13A （Ta）， 56A （Tc） |
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