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详细数据请看参考数据手册
- 型号： IRF640,127
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF640,127由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF640,127价格参考。NXP SemiconductorsIRF640,127封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRF640,127参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF640,127 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRF640（127为包装代码，代表TO-220AB封装）是一款N沟道增强型功率MOSFET，具有耐压200V、连续漏极电流9A、导通电阻约0.18Ω（典型值）等特点。其主要应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）：常用于AC-DC适配器、PC ATX电源的主开关管或PFC电路中，利用其快速开关特性（纳秒级开关时间）和低导通损耗提升效率。 2. 电机驱动：适用于中小功率直流电机（如风扇、水泵、电动工具）的H桥或单管驱动电路，支持PWM调速控制。 3. 逆变器与UPS：在小功率离网逆变器或后备式UPS中用作DC-AC转换的功率开关器件。 4. 电子负载与LED恒流驱动：凭借良好的线性区可控性，可用于可编程电子负载或大功率LED的开关式恒流驱动。 5. 工业控制与继电器替代：在PLC输出模块、固态继电器（SSR）中替代机械触点，实现无噪声、长寿命的通断控制。 需注意：IRF640为老款器件，无内置ESD保护和雪崩耐量标称，设计时应加强栅极驱动保护（如限流电阻+稳压二极管）、避免米勒效应引起的误导通，并确保散热充分（建议加装散热片）。不推荐用于高频（>100kHz）或高可靠性要求的汽车/医疗领域，可考虑升级至IRFP460或现代超结MOSFET替代。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 16A TO220AB |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IRF640,127 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1850pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 63nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 180 毫欧 @ 8A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | 568-1161-5 |
| 功率-最大值 | 136W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 16A （Tc） |
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