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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF432由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF432价格参考。International RectifierIRF432封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRF432参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF432 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRF432 是 International Rectifier(现属英飞凌 Infineon)推出的一款双 N 沟道增强型功率 MOSFET 阵列(Dual N-Channel Logic-Level MOSFET),采用 SO-8 封装。其典型参数包括:VDS = 55 V,ID(连续)≈ 3.6 A(单通道),RDS(on) ≈ 0.12 Ω(VGS = 10 V),具备逻辑电平驱动能力(VGS(th) 约 1–2 V),适合 3.3 V/5 V 微控制器直接驱动。 主要应用场景包括: ✅ 中小功率 DC-DC 同步整流:双 MOSFET 结构便于构建同步降压(Buck)转换器的下管与上管(需外置驱动时),提升效率; ✅ H 桥电机驱动:常用于 12–24 V 小型直流有刷电机的正反转与 PWM 调速(如机器人轮毂、智能小车、电动玩具); ✅ 负载开关与电源分配:双通道可独立控制两路负载(如传感器供电、LED 阵列分组驱动),支持快速启停与低功耗待机; ✅ 逆变器与半桥驱动模块:在低压离线式 AC-DC 辅助电源或 LED 驱动电路中用作开关单元; ✅ 工业控制接口电路:替代继电器实现固态开关,响应快、无触点磨损,适用于 PLC 输出模块或 I/O 扩展板。 注意:IRF432 已停产(EOL),当前推荐替换型号为 Infineon 的 BSC014N04LS 或 IRLML6344(SO-8 双 N 沟道逻辑电平 MOSFET),设计时需注意封装兼容性与参数匹配。实际应用中建议加装栅极电阻(10–100 Ω)抑制振铃,并确保散热(PCB 铜箔铺铜)。