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- 型号： IRF223
- 制造商： Harris
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF223由Harris设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF223价格参考。HarrisIRF223封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRF223参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF223 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Harris Corporation（哈里斯公司）历史上曾是美国知名国防与通信企业，但并未生产或发布过型号为IRF223的MOSFET器件。IRF223实为International Rectifier（国际整流器公司，后于2014年被英飞凌Infineon收购）推出的N沟道增强型功率MOSFET，属于其经典IRF系列。 该器件典型参数：耐压200V、连续漏极电流约8A、导通电阻Rds(on)约0.3Ω（Vgs=10V），采用TO-220封装。主要应用场景包括： - 中功率开关电源：如AC-DC适配器、PC ATX电源的次级同步整流或辅助电源控制； - 直流电机驱动：用于小型工业控制器、电动工具、风扇调速等100–200W级负载； - 逆变器与UPS模块：在低频开关（<100kHz）场合作功率开关； - 照明电子镇流器及LED驱动电路：配合PWM控制实现调光与稳流。 需注意：IRF223属早期平面工艺器件，开关速度与效率低于现代超结或SGT MOSFET，现多用于对成本敏感、性能要求不苛刻的工业维修或存量设备替换。设计时应重视栅极驱动能力、散热设计及SOA（安全工作区）限制。 综上，该型号归属英飞凌（原IR）产品线，与Harris Corporation无关联；实际应用需以器件真实规格书为准。
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