Datasheet下载- 型号： IPW60R190P6
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPW60R190P6由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPW60R190P6价格参考。InfineonIPW60R190P6封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPW60R190P6参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPW60R190P6 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IPW60R190P6 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的650V、190mΩ（典型值）增强型CoolMOS™ P6系列高压超级结MOSFET，专为高效率、高功率密度开关应用优化。其主要应用场景包括： - 服务器与通信电源：用于AC-DC一次侧PFC（功率因数校正）电路及LLC谐振变换器的主开关，凭借低导通电阻（RDS(on)）和优异的开关损耗平衡，提升整机效率（满足80 PLUS Titanium/Platinum标准）。 - 工业电源与UPS系统：适用于中大功率（1–3 kW级）不间断电源、可编程电源及电机驱动前端整流/逆变级，在宽负载范围下保持高效率与热稳定性。 - 太阳能逆变器：在组串式逆变器的DC-DC升压级或三相逆变桥中，利用其快速开关（tf/tr低）、低Eoss（输出电容能量）特性，降低EMI并提升MPPT效率。 - 电动汽车车载充电机（OBC）：作为高频SiC/MOSFET混合设计中的高压侧开关，支持双向充放电拓扑（如Totem-Pole PFC），兼顾效率、可靠性与成本。 该器件采用TO-247封装，具备良好的雪崩耐量、100% IAS测试认证及优化的体二极管反向恢复性能（Qrr低），适用于硬开关与软开关拓扑，是650V中高功率电源设计中兼顾性能、鲁棒性与能效的优选方案。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 630µ |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1750pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 11nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 190 毫欧 @ 7.6A， 10V |
| 供应商器件封装 | PG-TO247-3 |
| 其它名称 | IPW60R190P6FKSA1 |
| 功率-最大值 | 151W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 标准包装 | 240 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 20.2A |
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