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产品简介:
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IPU60R1K4C6BKMA1 是英飞凌(Infineon Technologies)推出的600V、1.4Ω(典型值)增强型CoolMOS™ C6系列高压超级结MOSFET,采用TO-220FP封装(带绝缘底板)。其主要应用场景聚焦于中低功率、高效率、高可靠性的离线式开关电源系统,典型包括: - 通用开关电源(SMPS):如适配器、充电器(USB PD、笔记本电脑电源)、LED驱动电源等,适用于反激(Flyback)和准谐振(QR)拓扑,凭借C6技术实现低导通损耗与优异的开关性能平衡; - 工业控制电源与辅助电源:为PLC、HMI、传感器模块等提供隔离式辅助供电,得益于高电压额定值(600V)和良好dV/dt抗扰性; - 家电与白色家电:空调、冰箱、洗衣机中的主控板电源、变频驱动辅助电源等,满足能效标准(如Energy Star、CoC Tier 2); - 物联网(IoT)设备电源:对尺寸、温升和待机功耗敏感的嵌入式系统,该器件具备低栅极电荷(Qg ≈ 11nC)和低反向恢复电荷(Qrr),支持高频工作(可达100kHz+),减小磁性元件体积。 注:该型号为单通道N沟道MOSFET,不适用于大电流主功率变换(如PFC主开关或电机驱动桥臂),推荐用于<30W输出功率的QR反激方案。其“K”后缀表示符合JEDEC标准的工业级可靠性(-40°C~+150°C结温),且通过AEC-Q101认证(部分批次),亦可用于车规级辅助电源(非安全关键应用)。
| 参数 | 数值 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 3.2 A |
| Id-连续漏极电流 | 3.2 A |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 产品目录 | 半导体 |
| 描述 | MOSFET |
| 产品分类 | 分离式半导体 |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPU60R1K4C6BKMA1 |
| 产品型号 | IPU60R1K4C6BKMA1 |
| Pd-PowerDissipation | 28.4 W |
| Pd-功率耗散 | 28.4 W |
| Qg-GateCharge | 9.4 nC |
| Qg-栅极电荷 | 9.4 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.4 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.4 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 650 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 650 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 3 V |
| 上升时间 | 7 ns |
| 下降时间 | 20 ns |
| 产品种类 | MOSFET |
| 典型关闭延迟时间 | 40 ns |
| 商标 | Infineon Technologies |
| 商标名 | CoolMOS |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/箱体 | IPAK-3 |
| 工厂包装数量 | 1500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 系列 | IPU60R1 |
| 零件号别名 | SP000931530 |