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  • 型号: IPU60R1K4C6BKMA1
  • 制造商: Infineon
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IPU60R1K4C6BKMA1由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPU60R1K4C6BKMA1价格参考。InfineonIPU60R1K4C6BKMA1封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IPU60R1K4C6BKMA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IPU60R1K4C6BKMA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IPU60R1K4C6BKMA1 是英飞凌(Infineon Technologies)推出的600V、1.4Ω(典型值)增强型CoolMOS™ C6系列高压超级结MOSFET,采用TO-220FP封装(带绝缘底板)。其主要应用场景聚焦于中低功率、高效率、高可靠性的离线式开关电源系统,典型包括:

- 通用开关电源(SMPS):如适配器、充电器(USB PD、笔记本电脑电源)、LED驱动电源等,适用于反激(Flyback)和准谐振(QR)拓扑,凭借C6技术实现低导通损耗与优异的开关性能平衡;
- 工业控制电源与辅助电源:为PLC、HMI、传感器模块等提供隔离式辅助供电,得益于高电压额定值(600V)和良好dV/dt抗扰性;
- 家电与白色家电:空调、冰箱、洗衣机中的主控板电源、变频驱动辅助电源等,满足能效标准(如Energy Star、CoC Tier 2);
- 物联网(IoT)设备电源:对尺寸、温升和待机功耗敏感的嵌入式系统,该器件具备低栅极电荷(Qg ≈ 11nC)和低反向恢复电荷(Qrr),支持高频工作(可达100kHz+),减小磁性元件体积。

注:该型号为单通道N沟道MOSFET,不适用于大电流主功率变换(如PFC主开关或电机驱动桥臂),推荐用于<30W输出功率的QR反激方案。其“K”后缀表示符合JEDEC标准的工业级可靠性(-40°C~+150°C结温),且通过AEC-Q101认证(部分批次),亦可用于车规级辅助电源(非安全关键应用)。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
Id-ContinuousDrainCurrent

3.2 A

Id-连续漏极电流

3.2 A

品牌

Infineon Technologies

产品目录

半导体

描述

MOSFET

产品分类

分离式半导体

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS

产品系列

晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPU60R1K4C6BKMA1

产品型号

IPU60R1K4C6BKMA1

Pd-PowerDissipation

28.4 W

Pd-功率耗散

28.4 W

Qg-GateCharge

9.4 nC

Qg-栅极电荷

9.4 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

1.4 Ohms

RdsOn-漏源导通电阻

1.4 Ohms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

650 V

Vds-漏源极击穿电压

650 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

3 V

Vgsth-栅源极阈值电压

3 V

上升时间

7 ns

下降时间

20 ns

产品种类

MOSFET

典型关闭延迟时间

40 ns

商标

Infineon Technologies

商标名

CoolMOS

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/箱体

IPAK-3

工厂包装数量

1500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

系列

IPU60R1

零件号别名

SP000931530

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