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详细数据请看参考数据手册
- 型号： IPU50R3K0CEBKMA1
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPU50R3K0CEBKMA1由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPU50R3K0CEBKMA1价格参考。InfineonIPU50R3K0CEBKMA1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPU50R3K0CEBKMA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPU50R3K0CEBKMA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IPU50R3K0CEBKMA1 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的高压超结CoolMOS™ C7系列N沟道功率MOSFET，典型参数为500V耐压、3.0Ω（典型值）导通电阻（RDS(on)），采用TO-252（DPAK）表面贴装封装。 该器件专为高效率、高功率密度的中低功率开关电源设计，典型应用场景包括： ✅ 通用开关电源（SMPS）：如适配器、充电器（65–150W）、LED驱动电源等，凭借低导通损耗与优异的开关性能（低Qg、Qoss），显著提升能效（满足DoE VI级、Energy Star及CoC Tier 2要求）； ✅ 工业辅助电源与控制板供电：为PLC、HMI、传感器模块等提供可靠、紧凑的DC/DC或AC/DC二次侧供电； ✅ 家电与白色家电：用于变频空调、冰箱、洗衣机中的PFC前级或主功率级，支持软开关与高频（~100 kHz）运行，减小磁性元件体积； ✅ 服务器与通信设备的板载电源（POL）：适用于隔离式反激（Flyback）或非隔离式Buck拓扑，具备良好的EMI特性与雪崩耐受能力（UIS额定），增强系统鲁棒性。 其“CE”后缀代表符合JEDEC标准的工业级可靠性（175°C Tj max），且内置ESD保护，适合批量自动化生产。需注意：实际应用中应配合合理PCB布局、栅极驱动（推荐12–15V驱动电压）及散热设计，以充分发挥其低损耗优势。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 1.7A TO-251 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPx50R3K0CE_2_0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a304339dcf4b10139e7e9ff592ce4 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IPU50R3K0CEBKMA1 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | CoolMOS™ CE |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 30µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 84pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 4.3nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3 欧姆 @ 400mA， 13V |
| 供应商器件封装 | PG-TO251 |
| 功率-最大值 | 18W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.7A （Tc） |
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