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产品简介:
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IPU50R2K0CEBKMA1 是英飞凌(Infineon Technologies)推出的高压超结CoolMOS™ C7系列N沟道功率MOSFET,典型参数:耐压500 V、导通电阻RDS(on)高达2000 mΩ(典型值)、额定电流约0.3 A,采用小型SMD封装(PG-TO252-3,即DPAK)。其高阻值与低电流特性表明该器件专为低功耗、高电压、小电流开关应用优化。 主要应用场景包括: ✅ 辅助电源系统:如主电源(如服务器、工业电源)中的待机/辅助绕组供电电路,为控制IC、光耦、风扇驱动等提供12 V/5 V隔离偏置电源; ✅ 高压启动电路:在AC-DC转换器(如反激式开关电源)中,用于高压端启动电阻替代方案,实现高效、可靠的IC初始供电; ✅ LED驱动次级侧控制/反馈回路:在隔离型LED驱动器中,用作光耦原边开关或初级侧采样控制; ✅ 电池管理系统(BMS)高压检测与隔离信号切换:适用于需耐受数百伏直流母线电压的监测路径中的电平转换或使能开关; ✅ 智能电表、PLC模块等工业设备中的高压逻辑接口或浪涌保护协同开关。 该器件凭借CoolMOS™ C7技术,具备优异的dv/dt抗扰性、低开关损耗和增强的ESD鲁棒性,特别适合空间受限、强调可靠性与长期稳定性的嵌入式高压控制场景。不适用于主功率变换(如主开关管),而聚焦于“精准、可靠、低功耗”的高压信号级开关任务。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 2.4A TO-251 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPx50R2K0CE_2_0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a304339dcf4b10139e81130a92d32 |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | IPU50R2K0CEBKMA1 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | CoolMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3.5V @ 50µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 124pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 6nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 2 欧姆 @ 600mA, 13V |
| 供应商器件封装 | PG-TO251 |
| 功率-最大值 | 22W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2.4A (Tc) |