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详细数据请看参考数据手册
- 型号： IPU50R1K4CEBKMA1
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPU50R1K4CEBKMA1由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPU50R1K4CEBKMA1价格参考。InfineonIPU50R1K4CEBKMA1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPU50R1K4CEBKMA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPU50R1K4CEBKMA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IPU50R1K4CEBKMA1 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的高压超结CoolMOS™ C7系列N沟道功率MOSFET，额定电压500 V，导通电阻典型值1400 mΩ（@VGS=10 V），采用PG-TO252-3（DPAK）表面贴装封装。其主要应用场景聚焦于对能效、尺寸和可靠性要求较高的中低功率开关电源系统，典型包括： - 通用开关电源（SMPS）：如适配器、充电器（手机/笔记本电源）、LED驱动电源等，适用于反激（Flyback）或准谐振（QR）拓扑，凭借低栅极电荷（QG≈6.8 nC）与优化的体二极管特性，提升轻载效率并降低EMI。 - 家电与工业控制电源：空调、冰箱、水泵等内置辅助电源或控制板供电模块，满足IEC 61000-4-5浪涌抗扰度及高可靠性需求。 - 太阳能微逆变器与储能系统辅助电路：用于MPPT控制器或隔离驱动级，利用其高dv/dt抗扰性与稳健雪崩能力保障长期运行安全。 - 电机驱动（小功率）：如风扇、小型BLDC驱动中的上桥臂开关（需搭配合适驱动与保护电路）。 该器件不适用于大电流连续导通场景（因RDS(on)较高），但凭借C7技术的低开关损耗与良好热性能，在成本敏感、空间受限且需兼顾效率与鲁棒性的20–60 W级应用中具有优势。注意设计时需优化PCB布局以抑制寄生振荡，并确保足够散热（建议使用覆铜面积≥2 cm²）。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 3.1A TO-251 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPx50R1K4CE.2.0.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c736bcc70ff2&fileId=db3a304339dcf4b10139e7c997862ca7 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IPU50R1K4CEBKMA1 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | CoolMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 70µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 178pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8.2nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.4 欧姆 @ 900mA， 13V |
| 供应商器件封装 | PG-TO251 |
| 功率-最大值 | 25W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.1A （Tc） |
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