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  • 型号: IPP60R600P6
  • 制造商: Infineon
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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IPP60R600P6产品简介:

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IPP60R600P6 是英飞凌(Infineon Technologies)推出的600V、600mΩ(典型值)增强型CoolMOS™ P6系列高压功率MOSFET,虽常被归类于“功率半导体器件”,但在部分BOM系统或平台中可能被广义划入“专用IC”类别(实为分立功率器件,非真正意义上的集成电路)。其核心应用场景聚焦于高效率、高密度的中高功率开关电源设计:

- 服务器与通信电源:用于AC-DC PFC(功率因数校正)级及LLC谐振变换器的主开关,凭借低导通电阻(RDS(on))和优化的开关损耗(Qg、Eoss小),提升能效并减小散热需求;  
- 工业电源与UPS:适用于1–3kW级不间断电源、PLC电源模块等,具备良好的雪崩耐量与长期可靠性;  
- 太阳能逆变器辅助电源/辅助DC-DC模块:在隔离式反激或有源钳位正激拓扑中提供高效、稳定的高压侧开关;  
- LED驱动电源:用于高功率工矿灯、路灯等恒压/恒流驱动方案中的初级开关;  
- 家电变频模块(如空调压缩机驱动的辅助电源):满足IEC 61000-4-5浪涌抗扰度及高可靠性要求。

该器件采用TO-220封装,兼容传统产线,支持硬开关与软开关拓扑,显著优于前代CoolMOS™ P5,特别适合追求高功率密度与80 PLUS Titanium/PSU Tier Certification的绿色电源设计。需注意:其非逻辑IC或SoC,而是面向特定电源拓扑优化的专用高压功率器件。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220

产品分类

FET - 单

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

Infineon Technologies

数据手册

http://www.infineon.com/dgdl/DS_IPP60R600P6_2_0_Approved.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c736bcc70ff2&fileId=db3a30433f2e70c5013f383a266624a0

产品图片

产品型号

IPP60R600P6

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

CoolMOS™ P6

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4.5V @ 200µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

557pF @ 100V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

12nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

600 毫欧 @ 2.4A,10V

供应商器件封装

TO-220-3

其它名称

IPP60R600P6XKSA1
SP001017054

功率-最大值

63W

包装

管件

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-220-3

标准包装

500

漏源极电压(Vdss)

600V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

7.3A (Tc)

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