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IPP60R600P6产品简介:
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IPP60R600P6 是英飞凌(Infineon Technologies)推出的600V、600mΩ(典型值)增强型CoolMOS™ P6系列高压功率MOSFET,虽常被归类于“功率半导体器件”,但在部分BOM系统或平台中可能被广义划入“专用IC”类别(实为分立功率器件,非真正意义上的集成电路)。其核心应用场景聚焦于高效率、高密度的中高功率开关电源设计: - 服务器与通信电源:用于AC-DC PFC(功率因数校正)级及LLC谐振变换器的主开关,凭借低导通电阻(RDS(on))和优化的开关损耗(Qg、Eoss小),提升能效并减小散热需求; - 工业电源与UPS:适用于1–3kW级不间断电源、PLC电源模块等,具备良好的雪崩耐量与长期可靠性; - 太阳能逆变器辅助电源/辅助DC-DC模块:在隔离式反激或有源钳位正激拓扑中提供高效、稳定的高压侧开关; - LED驱动电源:用于高功率工矿灯、路灯等恒压/恒流驱动方案中的初级开关; - 家电变频模块(如空调压缩机驱动的辅助电源):满足IEC 61000-4-5浪涌抗扰度及高可靠性要求。 该器件采用TO-220封装,兼容传统产线,支持硬开关与软开关拓扑,显著优于前代CoolMOS™ P5,特别适合追求高功率密度与80 PLUS Titanium/PSU Tier Certification的绿色电源设计。需注意:其非逻辑IC或SoC,而是面向特定电源拓扑优化的专用高压功率器件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/DS_IPP60R600P6_2_0_Approved.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c736bcc70ff2&fileId=db3a30433f2e70c5013f383a266624a0 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IPP60R600P6 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | CoolMOS™ P6 |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 200µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 557pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 12nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 600 毫欧 @ 2.4A,10V |
| 供应商器件封装 | TO-220-3 |
| 其它名称 | IPP60R600P6XKSA1 |
| 功率-最大值 | 63W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 7.3A (Tc) |