Datasheet下载- 型号： IPP60R280E6
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPP60R280E6由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPP60R280E6价格参考￥6.25-￥6.25。InfineonIPP60R280E6封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPP60R280E6参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPP60R280E6 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IPP60R280E6 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的600V、280mΩ（典型值）增强型CoolMOS™ C6系列高压功率MOSFET单管（注意：该型号为单管，非阵列；分类中“晶体管 - FET，MOSFET - 阵列”存在误标——实际数据手册明确标注其为单通道N沟道MOSFET）。 其典型应用场景包括： - 高效率开关电源（SMPS）：如服务器/通信电源、工业电源中的PFC（功率因数校正）升压电路和主DC-DC LLC谐振变换器，凭借低导通电阻（Rds(on)）与优化的优值系数（FOM），显著降低导通与开关损耗。 - 光伏逆变器：用于MPPT级或隔离型DC-AC转换，支持高频硬开关与软开关拓扑，提升系统效率与功率密度。 - 不间断电源（UPS）与储能系统（ESS）：在双向AC/DC或DC/DC变换中实现高效能量转换与快速响应。 - 电机驱动（中小功率）：适用于变频空调、伺服驱动等对动态性能与温升敏感的场合。 该器件采用TO-220封装，具备优异的抗雪崩能力、低栅极电荷（Qg ≈ 45nC）及良好EMI特性，适合高频（达100kHz以上）、高可靠性要求的工业与能源应用。需注意：设计时应合理布局PCB、优化驱动电路（推荐12–15V栅极电压）并确保充分散热。 （注：若确需MOSFET阵列，英飞凌对应系列为OptiMOS™或StrongIRFET™双/六管封装，如IPB80N04S4-03等，但IPP60R280E6不属于阵列产品。）
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 13.8A TO220MOSFET N-CH 650V 13.8A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 13.8 A |
| Id-连续漏极电流 | 13.8 A |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPP60R280E6CoolMOS™ |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPP60R280E6_2.0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b&fileId=db3a304327b8975001281fa6ed7144f7 |
| 产品型号 | IPP60R280E6 |
| Pd-PowerDissipation | 104 W |
| Pd-功率耗散 | 104 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 250 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 250 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 650 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 650 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 430µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 950pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 43nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 280 毫欧 @ 6.5A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25318 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220-3 |
| 其它名称 | IPP60R280E6XKSA1 |
| 功率-最大值 | 104W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Infineon Technologies |
| 商标名 | CoolMOS |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 13.8A （Tc） |
| 系列 | IPP60R280 |
| 零件号别名 | IPP60R280E6XKSA1 SP000797290 |
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