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  • 型号: IPP60R1K4C6XKSA1
  • 制造商: Infineon
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IPP60R1K4C6XKSA1由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPP60R1K4C6XKSA1价格参考。InfineonIPP60R1K4C6XKSA1封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IPP60R1K4C6XKSA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IPP60R1K4C6XKSA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IPP60R1K4C6XKSA1 是英飞凌(Infineon Technologies)推出的600V、1.4Ω(典型值,25°C)增强型N沟道CoolMOS™ C6系列高压功率MOSFET。其主要应用场景聚焦于高效率、高密度的中高功率开关电源系统,尤其适用于对能效、热性能和EMI有严苛要求的场合。

典型应用包括:  
✅ 服务器与通信电源:用于AC-DC PFC(功率因数校正)升压电路及LLC谐振变换器的主开关管,凭借C6技术的低导通损耗(RDS(on))与优化的开关损耗平衡,显著提升整机效率(满足80 PLUS Titanium/Platinum标准)。  
✅ 工业电源与UPS:在1–3kW级不间断电源、PLC电源模块中,提供可靠、低温升的硬开关或软开关工作能力。  
✅ 太阳能逆变器辅助电源:作为MPPT控制器或隔离DC-DC转换器中的高压侧开关,具备良好的dv/dt抗扰性与雪崩耐量。  
✅ 家电与LED驱动:高端变频空调、大功率智能照明电源中的PFC级开关器件,兼顾效率与成本。

该器件采用TO-220封装(带隔离焊盘),具备100%雪崩测试、增强ESD防护(HBM >2kV)及符合RoHS/REACH标准,适用于自动化贴装与长期高可靠性运行。需注意:实际设计中应配合优化的栅极驱动(如12–15V驱动电压)、合理PCB布局及散热设计,以充分发挥C6系列的高频(可达100kHz+)与低Eoss优势。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 600V 3.2A TO220

产品分类

FET - 单

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

Infineon Technologies

数据手册

http://www.infineon.com/dgdl/DS_IPP60R1K4C6.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a30433899edae0138b2b95bbb0f7e

产品图片

产品型号

IPP60R1K4C6XKSA1

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

CoolMOS™

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3.5V @ 90µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

200pF @ 100V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

1.1nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

1.4 欧姆 @ 1.1A,10V

供应商器件封装

TO-220-3

功率-最大值

28.4W

包装

管件

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-220-3

标准包装

500

漏源极电压(Vdss)

600V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

3.2A (Tc)

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