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产品简介:
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IPP60R1K4C6XKSA1 是英飞凌(Infineon Technologies)推出的600V、1.4Ω(典型值,25°C)增强型N沟道CoolMOS™ C6系列高压功率MOSFET。其主要应用场景聚焦于高效率、高密度的中高功率开关电源系统,尤其适用于对能效、热性能和EMI有严苛要求的场合。 典型应用包括: ✅ 服务器与通信电源:用于AC-DC PFC(功率因数校正)升压电路及LLC谐振变换器的主开关管,凭借C6技术的低导通损耗(RDS(on))与优化的开关损耗平衡,显著提升整机效率(满足80 PLUS Titanium/Platinum标准)。 ✅ 工业电源与UPS:在1–3kW级不间断电源、PLC电源模块中,提供可靠、低温升的硬开关或软开关工作能力。 ✅ 太阳能逆变器辅助电源:作为MPPT控制器或隔离DC-DC转换器中的高压侧开关,具备良好的dv/dt抗扰性与雪崩耐量。 ✅ 家电与LED驱动:高端变频空调、大功率智能照明电源中的PFC级开关器件,兼顾效率与成本。 该器件采用TO-220封装(带隔离焊盘),具备100%雪崩测试、增强ESD防护(HBM >2kV)及符合RoHS/REACH标准,适用于自动化贴装与长期高可靠性运行。需注意:实际设计中应配合优化的栅极驱动(如12–15V驱动电压)、合理PCB布局及散热设计,以充分发挥C6系列的高频(可达100kHz+)与低Eoss优势。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 3.2A TO220 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/DS_IPP60R1K4C6.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a30433899edae0138b2b95bbb0f7e |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | IPP60R1K4C6XKSA1 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | CoolMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3.5V @ 90µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 200pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 1.1nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 1.4 欧姆 @ 1.1A,10V |
| 供应商器件封装 | TO-220-3 |
| 功率-最大值 | 28.4W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 3.2A (Tc) |