图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
- 型号： IPP50R520CP
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPP50R520CP由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPP50R520CP价格参考。InfineonIPP50R520CP封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPP50R520CP参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPP50R520CP 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IPP50R520CP 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的高性能N沟道增强型功率MOSFET，采用PG-TO220封装，具有500V耐压、典型导通电阻Rds(on) = 520 mΩ（@ Vgs = 10 V）、额定连续漏极电流ID = 8.5 A（Tc = 25°C）。其优化的“CoolMOS™ CP”技术兼顾低开关损耗与良好导通性能，适用于中高电压、中等功率的高效开关应用。 典型应用场景包括： ✅ 开关电源（SMPS）：如服务器/通信电源、工业AC-DC适配器中的PFC（功率因数校正）升压电路和主DC-DC变换器的高压侧开关； ✅ LED驱动电源：用于隔离式或非隔离式恒流驱动方案中的高频斩波开关，支持高效率与低EMI； ✅ 工业控制与电机驱动：在小型变频器、风机/泵类电机的单相逆变或H桥驱动中作为功率开关（适用于<200W负载）； ✅ 家电电源模块：如空调、洗衣机的主控板辅助电源、待机电源及高压DC总线开关； ✅ 太阳能微逆变器与储能系统：在MPPT前端或DC优化器中承担中压直流开关功能（需配合驱动与保护设计）。 该器件具备良好的雪崩耐受能力、较低的栅极电荷（Qg ≈ 23 nC），便于高频（~100 kHz）工作，同时支持硬开关与软开关拓扑。使用时建议搭配合适的栅极驱动器（如英飞凌1ED系列）并注意PCB布局以抑制寄生振荡。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 550V 7.1A TO-220 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPP50R520CP_rev2.0.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42da72848bb |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IPP50R520CP |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | CoolMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 680pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 17nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 520 毫欧 @ 3.8A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25318 |
| 供应商器件封装 | PG-TO220-3 |
| 其它名称 | IPP50R520CPHKSA1 |
| 功率-最大值 | 66W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 550V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 7.1A （Tc） |
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