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  • 型号: IPP45P03P4L-11
  • 制造商: Infineon
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IPP45P03P4L-11由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPP45P03P4L-11价格参考。InfineonIPP45P03P4L-11封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IPP45P03P4L-11参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IPP45P03P4L-11 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET P-CH 30V 45A TO220-3MOSFET P-Channel -30V MOSFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

- 45 A

Id-连续漏极电流

- 45 A

品牌

Infineon Technologies

产品手册

http://www.infineon.com/dgdl/IPP_B_I45P03P4L-11_DS_10.pdf?folderId=db3a304314dca3890114ef902baa05f9&fileId=db3a30431ddc9372011e07ee39732802

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPP45P03P4L-11OptiMOS™

数据手册

http://www.infineon.com/dgdl/IPP_B_I45P03P4L-11_DS_10.pdf?folderId=db3a304314dca3890114ef902baa05f9&fileId=db3a30431ddc9372011e07ee39732802

产品型号

IPP45P03P4L-11

Pd-PowerDissipation

58 W

Pd-功率耗散

58 W

Qg-GateCharge

42 nC

Qg-栅极电荷

42 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

9 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

9 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

- 30 V

Vds-漏源极击穿电压

- 30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+ 5 V, - 16 V

Vgs-栅源极击穿电压

+ 5 V, - 16 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

- 1.5 V

Vgsth-栅源极阈值电压

- 1.5 V

上升时间

3 ns

下降时间

14 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2V @ 85µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

3770pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

55nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

11.1 毫欧 @ 45A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

PG-TO220-3

其它名称

IPP45P03P4L11AKSA1
SP000396382

典型关闭延迟时间

45 ns

功率-最大值

58W

包装

管件

商标

Infineon Technologies

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

导通电阻

9 mOhms

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220FP-3

工厂包装数量

500

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

500

汲极/源极击穿电压

- 30 V

漏极连续电流

- 45 A

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

45A (Tc)

系列

IPP45P03

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

IPP45P03P4L11AKSA1 SP000396382

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