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- 型号： IPP139N08N3GXKSA1
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPP139N08N3GXKSA1由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPP139N08N3GXKSA1价格参考。InfineonIPP139N08N3GXKSA1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPP139N08N3GXKSA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPP139N08N3GXKSA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IPP139N08N3GXKSA1是英飞凌（Infineon Technologies）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用PG-TO220-3-1封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 1.4 mΩ @ VGS = 10 V）、高电流能力（ID = 139 A）及耐压80 V，适用于高效率、高功率密度的开关应用。其典型应用场景包括： - 汽车电子：车载DC-DC转换器（如12V/48V双向转换）、电动助力转向（EPS）、电池管理系统（BMS）中的主开关或预充电/隔离电路； - 工业电源：服务器/通信电源的同步整流、OR-ing二极管替代、电机驱动H桥的下管； - 可再生能源：光伏逆变器的直流侧开关、储能系统（ESS）的电池充放电控制； - 消费类高功率设备：大功率LED驱动、UPS不间断电源主功率级。 该器件集成优化的体二极管（具备软恢复特性），支持高频硬开关与ZVS设计，并通过AEC-Q101认证，具备高可靠性与抗雪崩能力，特别适合严苛环境下的高负载、高频率开关需求。
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