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  • 型号: IPP086N10N3
  • 制造商: Infineon
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IPP086N10N3由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPP086N10N3价格参考。InfineonIPP086N10N3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IPP086N10N3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IPP086N10N3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IPP086N10N3 是英飞凌(Infineon Technologies)推出的高性能增强型N沟道功率MOSFET,采用OptiMOS™ 3技术,具有低导通电阻(RDS(on)典型值仅8.6 mΩ @ VGS=10V)、高电流能力(ID达90 A)、100 V耐压及优异的开关性能与热稳定性。

其典型应用场景包括:  
✅ 服务器与通信电源:用于DC-DC降压转换器(如CPU/GPU供电的同步整流Buck电路),凭借低RDS(on)和快速开关特性提升效率与功率密度;  
✅ 工业电机驱动:在变频器、伺服驱动或BLDC电机控制中作为高频开关器件,支持PWM调速与能量高效回馈;  
✅ 车载电子系统:适用于汽车级辅助电源(如车载充电机OBC次级侧、12V/48V DC-DC模块),符合AEC-Q101认证(注:IPP086N10N3有工业级和车规级版本,需确认具体型号后缀);  
✅ 太阳能逆变器与储能系统:在MPPT升压级或电池侧DC-DC变换中承担主开关角色,兼顾效率与可靠性;  
✅ 高功率LED驱动与UPS系统:满足大电流、高频硬开关需求,降低导通与开关损耗。

该器件采用TO-220封装,散热性能良好,配合优化的栅极驱动设计可实现高效、紧凑的电源解决方案。应用时需注意PCB布局、驱动电压(推荐10–15 V)、并联使用时的均流匹配及热管理。
产品参数 图文手册 常见问题
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