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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IPP076N12N3G由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPP076N12N3G价格参考。InfineonIPP076N12N3G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IPP076N12N3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IPP076N12N3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IPP076N12N3G 是英飞凌(Infineon Technologies)推出的高性能增强型N沟道功率MOSFET,采用PG-TO220封装,具有120V耐压、76A连续漏极电流(Tc=25°C)、极低导通电阻(RDS(on)典型值仅7.6 mΩ),并集成优化体二极管,具备快速开关、低开关损耗和优异的抗雪崩能力。 该器件广泛应用于中高功率、高效率的电源与电机驱动场景,典型应用包括: ✅ 工业开关电源(SMPS):如通信基站电源、服务器PSU、工业AC/DC模块中的主开关或同步整流; ✅ 电机驱动系统:适用于BLDC(无刷直流)电机控制器、伺服驱动器及变频器的逆变桥臂(尤其上/下半桥高频开关); ✅ DC-DC转换器:在车载OBC(车载充电机)、48V轻混系统、光伏逆变器辅助电源等12V–48V输入、高电流输出的降压/升降压拓扑中作主功率开关; ✅ 电动工具与家电:如大功率电钻、吸尘器、变频空调压缩机驱动模块,兼顾效率与散热可靠性; ✅ LED驱动与UPS系统:用于高频PWM调光电路或在线式UPS的逆变级功率开关。 其低RDS(on)与优化工艺显著降低导通损耗,配合快速开关特性(tF < 20 ns),支持高频(可达100 kHz以上)工作,提升系统功率密度与能效(满足IEC 61000-3-2谐波标准及能源之星要求)。需注意合理设计PCB布局、栅极驱动(推荐±12V–15V驱动电压)及散热(建议配合适当散热器)。