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  • 型号: IPP065N03LG
  • 制造商: Infineon
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IPP065N03LG由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPP065N03LG价格参考。InfineonIPP065N03LG封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IPP065N03LG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IPP065N03LG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IPP065N03LG 是英飞凌(Infineon Technologies)推出的N沟道增强型功率MOSFET,采用OptiMOS™ 5技术,具有低导通电阻(RDS(on)典型值仅6.5 mΩ @ VGS=10 V)、高开关效率及优异热性能。其额定电压为30 V,连续漏极电流达120 A(TC=25°C),适用于中低压、高电流、高频开关场景。

典型应用场景包括:  
✅ 服务器与通信电源:用于DC-DC降压转换器(如POL模块、VRM)的同步整流开关,提升能效与功率密度;  
✅ 工业电机驱动:在BLDC电机控制器或H桥驱动电路中作主开关,支持高效PWM调速;  
✅ 电池供电系统:如电动工具、UPS、储能系统中的电池保护电路(充放电路径控制)和负载开关;  
✅ 汽车电子:符合AEC-Q101标准(该型号为工业级,但同系列广泛用于车载应用),可用于车身控制模块、LED车灯驱动、辅助电源等;  
✅ 消费类电源适配器与快充方案:配合氮化镓(GaN)或数字控制器,实现高效率AC-DC次级侧同步整流或DC-DC级。

其TO-220封装兼顾散热性与易用性,配合低栅极电荷(Qg≈37 nC)和快速开关特性,可显著降低开关损耗,适合频率达500 kHz以上的高频设计。综合而言,IPP065N03LG是追求高效率、小体积与可靠性的中功率电源与驱动系统的优选器件。(字数:498)
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