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- 型号： IPP052NE7N3G
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPP052NE7N3G由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPP052NE7N3G价格参考。InfineonIPP052NE7N3G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPP052NE7N3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPP052NE7N3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IPP052NE7N3G 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的高性能增强型N沟道功率MOSFET，采用最新CoolMOS™ C7技术，具备低导通电阻（RDS(on) = 5.2 mΩ @ VGS = 10 V）、高开关效率及优异的硬换流鲁棒性。其典型应用场景包括： - 服务器与通信电源：用于AC-DC整流级（PFC电路）和DC-DC转换器（如LLC、相移全桥），提升能效并满足80 PLUS Titanium/Platinum标准； - 工业电源与UPS系统：在高功率密度、高可靠性要求的不间断电源中承担主开关角色，支持高频（65–300 kHz）工作，降低磁性元件体积； - 太阳能逆变器：适用于组串式逆变器的DC-DC升压级和DC-AC逆变级，凭借低开关损耗与高dv/dt抗扰能力保障系统稳定； - 电动汽车车载充电机（OBC）：在双向AC-DC拓扑中实现高效能量转换，支持宽输入电压范围与快速动态响应； - 电机驱动（中小功率）：适用于伺服驱动、泵类/风扇控制器等需高效率与热稳定性的场合。 该器件采用PG-TO220-3封装，具备优良散热性能，支持表面贴装替代方案（如IPB052NE7N3G），广泛适配自动化产线。其集成的ESD保护与雪崩耐量（EAS = 125 mJ）进一步增强了系统可靠性。
产品参数
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