【未分类_IPP037N08N3G】封装/厂家_IPP037N08N3G中文资料_价格

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型号： IPP037N08N3G
制造商： Infineon
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IPP037N08N3G由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPP037N08N3G价格参考。InfineonIPP037N08N3G封装/规格：未分类，暂无。您可以下载IPP037N08N3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPP037N08N3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IPP037N08N3G 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的高性能增强型氮化镓（GaN）功率晶体管（严格归类为分立功率器件，而非专用IC）。需澄清：该型号属于分立式功率MOSFET/GaN HEMT（采用CoolGaN™技术），非“专用IC”（ASIC）。其典型参数为80V耐压、3.7mΩ极低导通电阻、TO-220封装，专为高效率、高频开关设计。

主要应用场景包括：  
✅ 高密度AC-DC电源适配器（如65–100W快充头），利用其高频（>1MHz）开关能力缩小变压器与电容体积；  
✅ 服务器/通信设备的高效率DC-DC转换器（如48V–12V POL模块），降低导通与开关损耗，提升能效（>98%）；  
✅ 工业电源与LED驱动电源，支持紧凑散热设计与高可靠性运行；  
✅ USB PD 3.1 EPR（扩展功率）快充方案，满足28V/5A及以上大电流输出需求。

注：因GaN器件需匹配专用驱动IC（如英飞凌IDrive系列）及优化PCB布局，常作为核心功率开关集成于完整电源方案中，但本身为分立器件。若用户实际指代某款专用IC，请核实型号准确性（IPP前缀通常代表Infineon Power MOSFET）。

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