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- 型号： IPP028N08N3GHKSA1
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPP028N08N3GHKSA1由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPP028N08N3GHKSA1价格参考。InfineonIPP028N08N3GHKSA1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPP028N08N3GHKSA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPP028N08N3GHKSA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IPP028N08N3GHKSA1 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的高性能N沟道增强型功率MOSFET，采用PG-TO220-3-1封装，具有80V耐压、28mΩ典型导通电阻（RDS(on)）、高电流能力（ID达120A）及优化的开关特性（低Qg和Ciss）。其主要应用场景包括： - 工业电源与服务器电源：用于DC-DC转换器（如同步整流BUCK电路）、AC-DC PFC后级主开关或ORing应用，凭借低导通损耗与快速开关性能提升能效（符合80 PLUS Titanium标准）； - 电机驱动系统：适用于中小功率无刷直流（BLDC）电机控制器中的逆变桥臂（尤其上/下管），支持高频PWM调制，降低温升与EMI； - 电动工具与UPS系统：在电池供电设备中承担高效功率切换，兼顾高脉冲电流承受力（IDM=480A）与热稳定性； - 汽车电子辅助系统：虽非AEC-Q101车规认证型号（该器件为工业级），但在车载充电机（OBC）辅助电源、LED车灯驱动等非安全关键场景中亦有应用。 该器件集成优化体二极管，具备良好的反向恢复特性，适用于硬开关与部分软开关拓扑。需配合合理PCB布局、散热设计（建议使用足够铜面积或散热片）及栅极驱动（推荐±12V~20V驱动电压）以发挥最佳性能。
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