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IPI90R1K0C3产品简介:
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IPI90R1K0C3 是英飞凌(Infineon Technologies)推出的高性能高压CoolMOS™ C3系列N沟道功率MOSFET,额定电压900 V,导通电阻典型值1.0 Ω(@Tj = 25°C),采用TO-220FP封装(带绝缘底板,适合PCB直插安装)。 其主要应用场景包括: ✅ 工业开关电源(SMPS):适用于80W–300W级高效率AC-DC适配器、服务器辅助电源、工业控制电源等,凭借低栅极电荷(Qg ≈ 13 nC)与优化的Eoss参数,显著降低开关损耗,提升轻载至满载效率。 ✅ LED驱动电源:尤其适用于高PF(功率因数)、高效率的隔离式反激或准谐振(QR)LED驱动器,满足EN61000-3-2 Class C标准及能源之星要求。 ✅ 家电与白色家电:如变频空调PFC级、冰箱压缩机驱动辅助电源、电磁炉待机电源等,具备优异的dv/dt抗扰性与雪崩耐量(UIS额定),保障系统长期可靠性。 ✅ 太阳能微逆变器/储能系统辅助电路:用于MPPT控制器、隔离DC-DC转换器中的高压侧开关,支持高频(>100 kHz)工作,减小磁性元件体积。 该器件不适用于大电流主功率开关(如电机驱动主桥臂),因其Rds(on)相对较高;更侧重于中等功率、高能效、高可靠性的高压开关场景。搭配英飞凌专用驱动IC(如1EDN/1EDS系列)可进一步优化动态性能与EMI表现。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 900V 5.7A TO-262 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPI90R1K0C3_1.0.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c736bcc70ff2&fileId=db3a30431b3e89eb011b8cf6c0d10fee |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IPI90R1K0C3 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | CoolMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3.5V @ 370µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 850pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 34nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 1 欧姆 @ 3.3A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25318 |
| 供应商器件封装 | PG-TO262-3 |
| 其它名称 | IPI90R1K0C3XKSA1 |
| 功率-最大值 | 89W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA |
| 标准包装 | 500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 900V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 5.7A (Tc) |