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- 型号： IPI80N04S3-06
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPI80N04S3-06由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPI80N04S3-06价格参考。InfineonIPI80N04S3-06封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPI80N04S3-06参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPI80N04S3-06 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IPI80N04S3-06 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用PG-TO263-3封装（即D²PAK），具有低导通电阻（RDS(on) ≤ 6.0 mΩ @ VGS = 10 V）、高电流能力（ID = 80 A，TC = 25°C）和优化的开关特性。其典型应用场景包括： - 汽车电子：广泛用于车载DC-DC转换器、电机驱动（如车窗升降、座椅调节、冷却风扇控制）、LED车灯驱动及电池管理系统（BMS）中的充放电开关；符合AEC-Q101汽车级可靠性标准。 - 工业电源与电机驱动：适用于开关电源（SMPS）、服务器/通信电源的同步整流、UPS系统、工业变频器及中小功率BLDC/PMSM电机控制器中的高低侧开关。 - 消费类与通用电源：用于大功率适配器、电动工具、家用电器（如吸尘器、洗衣机驱动模块）等需高效、高可靠开关性能的场合。 该器件具备强抗雪崩能力、低开关损耗和优异的热稳定性，配合英飞凌的OptiMOS™ 3技术，特别适合高频、高效率、高功率密度的设计需求。注意实际应用中需合理设计栅极驱动、PCB散热及过流/过温保护电路以发挥其最佳性能。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPP_B_I80N04S3-06_DS_1_1.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304412b407950112b42ba2ab458b |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IPI80N04S3-06 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | OptiMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 52µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3250pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 47nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 5.7 毫欧 @ 80A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | PG-TO262-3 |
| 其它名称 | IPI80N04S306AKSA1 |
| 功率-最大值 | 100W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 标准包装 | 500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 80A （Tc） |
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