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详细数据请看参考数据手册
- 型号： IPI80N03S4L-03
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPI80N03S4L-03由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPI80N03S4L-03价格参考。InfineonIPI80N03S4L-03封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPI80N03S4L-03参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPI80N03S4L-03 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IPI80N03S4L-03 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的高性能逻辑电平N沟道增强型MOSFET，采用PG-TO263-3（D²PAK）封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≤ 3.0 mΩ @ VGS = 10 V，典型值2.4 mΩ）、高连续漏极电流（ID = 80 A @ TC = 25°C）及优异的开关性能。 其主要应用场景包括： ✅ 汽车电子系统：广泛用于车身控制模块（BCM）、车灯驱动（如LED前照灯/尾灯调光与开关）、雨刷电机、风扇控制、座椅调节等12V低压直流负载驱动；符合AEC-Q101汽车级可靠性标准，具备高抗干扰性与热稳定性。 ✅ 工业电源与电机驱动：适用于DC-DC同步整流、电动工具、小型BLDC电机控制器、继电器替代方案（固态开关），尤其适合高频PWM调速场合。 ✅ 消费类与计算设备：用于服务器/PC主板的VRM（电压调节模块）中作为下管（low-side switch），以及大电流负载开关（如USB-C PD供电路径管理、电池充放电保护电路）。 ✅ 绿色能源应用：在光伏逆变器辅助电源、储能系统BMS的主动均衡电路中承担高效通断功能。 该器件支持逻辑电平驱动（VGS(th) 通常1–2.2 V），可直接由MCU或驱动IC（如IR2101、BTS7xx系列）控制，简化外围设计；内置体二极管具有快恢复特性，利于续流与反向能量吸收。综合其低损耗、高可靠与车规认证优势，是12V系统中大电流开关应用的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 80A TO262-3 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPB80N03S4L-02_IPP_I80N03S4L_03_DS_2_0.pdf?folderId=db3a304412b407950112b426f7da3b27&fileId=db3a304412b407950112b426fb253b37 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IPI80N03S4L-03 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | OptiMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 90µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 9750pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 140nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.7毫欧 @ 80A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | PG-TO262-3 |
| 其它名称 | IPI80N03S4L03AKSA1 |
| 功率-最大值 | 136W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 标准包装 | 500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 80A （Tc） |
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