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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IPI60R299CP由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPI60R299CP价格参考。InfineonIPI60R299CP封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IPI60R299CP参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IPI60R299CP 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IPI60R299CP 是英飞凌(Infineon Technologies)推出的600V、299mΩ(典型值)增强型N沟道CoolMOS™ C7系列高压功率MOSFET,采用TO-220FP封装(带绝缘底板)。其核心优势在于高效率、低开关损耗与优异的硬换流鲁棒性,适用于中高功率、高频开关场景。 典型应用场景包括: ✅ 开关电源(SMPS):如服务器/通信电源、工业AC-DC适配器中的PFC(功率因数校正)级和主DC-DC变换器,凭借C7技术实现更高效率与更小散热器需求; ✅ 不间断电源(UPS)与储能系统(ESS):用于DC-AC逆变器或电池管理中的高频隔离/非隔离DC-DC模块,支持高可靠性连续运行; ✅ 工业电机驱动:在中小功率变频器(如泵、风机控制)中作逆变桥臂开关,兼顾动态响应与热稳定性; ✅ LED路灯与高压照明驱动:适用于宽输入电压范围(如85–305VAC)的高效率、高PF恒流驱动方案; ✅ 家电变频控制:如空调压缩机驱动、高端洗衣机主控板等对能效(如IEC 62301待机功耗)和EMI有严苛要求的场合。 该器件支持高达100kHz以上开关频率,配合零电压开关(ZVS)或准谐振(QR)拓扑可进一步提升系统效率。需注意其栅极驱动需匹配±20V耐压及足够峰值电流(推荐≥1A),并合理设计PCB布局以抑制寄生振荡。 (字数:398)
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 11A I2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPI60R299CP_rev2.0.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42e79d249d3 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IPI60R299CP |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | CoolMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3.5V @ 440µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1100pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 29nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 299 毫欧 @ 6.6A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25318 |
| 供应商器件封装 | PG-TO262-3 |
| 其它名称 | IPI60R299CPAKSA1 |
| 功率-最大值 | 96W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA |
| 标准包装 | 500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 11A (Tc) |