Datasheet下载- 型号： IPI60R190C6
- 制造商： Infineon
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPI60R190C6由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPI60R190C6价格参考。InfineonIPI60R190C6封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPI60R190C6参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPI60R190C6 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IPI60R190C6 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的600V、190mΩ（典型值）的高压超级结（CoolMOS™ C6）单通道N沟道功率MOSFET（注：需澄清——该型号实为单管，非阵列；其封装为TO-220或TO-220FP，非多芯片阵列结构。Infineon官方分类中，IPI60R190C6 属于“晶体管 - FET，MOSFET - 单”，而非“MOSFET - 阵列”。可能用户存在型号归类误解）。 尽管如此，其典型应用场景广泛适用于高效率、高功率密度的开关电源系统，包括： ✅ 服务器与通信电源：用于PFC（功率因数校正）升压级和LLC谐振变换器的主开关，凭借C6技术的低导通损耗（Rds(on)）与优化的Eoss（输出电容能量），显著提升轻载至满载全范围效率； ✅ 工业电源与UPS：在48V/380V母线系统中承担高频硬开关或软开关任务，具备优异的dv/dt抗扰性与雪崩耐量，确保系统长期可靠运行； ✅ 太阳能逆变器：适用于组串式逆变器的DC-DC升压级及三相逆变桥臂，支持高开关频率（达100kHz+），减小磁性元件体积； ✅ 家电与EV充电模块：如OBC（车载充电机）中的AC-DC级，满足高能效（如80 PLUS Titanium）、低待机功耗与紧凑设计需求。 该器件采用增强型体二极管设计，反向恢复特性优异，可降低EMI并减少外部缓冲电路需求。需搭配合适驱动（如15–18V栅极电压）与PCB热设计以发挥最佳性能。 （注：若确需MOSFET阵列型号，Infineon对应系列如IPDxxNxxN（双N沟道）或BSCxxxN系列，但IPI60R190C6本身为单管。）
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 20.2A TO262MOSFET 600V CoolMOSC6 Power Transistor |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 20.2 A |
| Id-连续漏极电流 | 20.2 A |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPI60R190C6CoolMOS™ |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPI60R190C6_2_1.pdf?folderId=db3a30431ff98815012019af55de3f2c&fileId=db3a30432239cccd0122650f87c6114d |
| 产品型号 | IPI60R190C6 |
| Pd-PowerDissipation | 151 W |
| Pd-功率耗散 | 151 W |
| Qg-GateCharge | 63 nC |
| Qg-栅极电荷 | 63 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 190 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 190 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 650 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 650 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 11 nS |
| 下降时间 | 9 nS |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 630µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1400pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 63nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 190 毫欧 @ 9.5A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25318 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PG-TO262-3 |
| 其它名称 | IPI60R190C6XKSA1 |
| 典型关闭延迟时间 | 110 nS |
| 功率-最大值 | 151W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Infineon Technologies |
| 商标名 | CoolMOS |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 封装/箱体 | I2PAK-3 |
| 工厂包装数量 | 500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 20.2A （Tc） |
| 系列 | IPI60R190 |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | IPI60R190C6XKSA1 SP000660618 |
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