【未分类_IPI147N12N3G】封装/厂家_IPI147N12N3G中文资料_价格

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型号： IPI147N12N3G
制造商： Infineon
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IPI147N12N3G由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPI147N12N3G价格参考。InfineonIPI147N12N3G封装/规格：未分类，暂无。您可以下载IPI147N12N3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPI147N12N3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IPI147N12N3G 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的高性能N沟道增强型功率MOSFET，采用PG-TO263-3封装，具有120V耐压、147A连续漏极电流（Tc=25°C）、极低导通电阻（RDS(on)典型值仅3.8 mΩ @ VGS=10V），并集成优化的体二极管，具备优异的开关速度与抗雪崩能力。

其典型应用场景包括：  
✅ 汽车电子：用于车载DC-DC转换器（如12V/48V双向转换）、电动助力转向（EPS）电机驱动、车身控制模块（BCM）中的高电流负载开关；  
✅ 工业电源与电机驱动：适用于伺服驱动器、变频器、UPS逆变级及高频开关电源（如服务器PSU、通信电源）的同步整流或主开关；  
✅ 可再生能源系统：在光伏微型逆变器、储能系统（ESS）的电池管理与充放电回路中承担高效功率切换；  
✅ 消费类高功率设备：如高端电动工具、无人机电调（ESC）、大功率LED驱动等需高效率、高可靠性的场合。

该器件符合AEC-Q101汽车级认证，具备强抗EMI能力和鲁棒的短路耐受性能（10μs），特别适合高温、高动态负载及高可靠性要求的严苛环境。其低导通损耗与快速开关特性有助于提升系统整体能效（降低温升）并减小散热设计负担。

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