【未分类_IPI126N10N3G】封装/厂家_IPI126N10N3G中文资料_价格

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型号： IPI126N10N3G
制造商： Infineon
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IPI126N10N3G由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPI126N10N3G价格参考。InfineonIPI126N10N3G封装/规格：未分类，暂无。您可以下载IPI126N10N3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPI126N10N3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IPI126N10N3G 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的高性能N沟道增强型功率MOSFET，采用PG-TDSON-8封装（底部散热焊盘），具有100V耐压、126A连续漏极电流（Tc=25°C）、极低导通电阻（RDS(on)典型值仅3.4 mΩ @ VGS=10V），并集成优化的体二极管，具备快速恢复与抗雪崩能力。

其主要应用场景包括：  
✅ 汽车电子：广泛用于车载DC-DC转换器（如12V/48V双向转换）、电动助力转向（EPS）电机驱动、车身控制模块（BCM）中的高电流负载开关（如车灯、风扇、泵类驱动）；符合AEC-Q101车规认证，支持-40°C至175°C结温，满足严苛车载环境要求。  
✅ 工业电源与电机驱动：适用于中大功率开关电源（如服务器PSU、通信电源）、工业变频器、BLDC无刷电机驱动半桥/全桥输出级，凭借低RDS(on)和高效率显著降低导通损耗与温升。  
✅ 可再生能源系统：在光伏逆变器的MPPT升压级或储能系统BMS主控开关中承担高频、高效率功率切换任务。  

该器件支持10V逻辑电平驱动，兼容主流栅极驱动IC；内置ESD保护，可靠性高；优化的开关特性（Qg低、Eoss小）利于提升系统能效与EMI性能。综上，IPI126N10N3G是面向高可靠性、高功率密度汽车及工业应用的理想单管MOSFET解决方案。

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