Datasheet下载- 型号： IPG20N04S4-08
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPG20N04S4-08由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPG20N04S4-08价格参考￥3.56-￥3.79。InfineonIPG20N04S4-08封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPG20N04S4-08参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPG20N04S4-08 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IPG20N04S4-08 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的高性能低压N沟道增强型MOSFET，采用PG-TSDSON-8封装，具有低导通电阻（RDS(on)典型值仅6.8 mΩ @ VGS=10 V）、高电流能力（ID = 20 A，脉冲可达80 A）及优化的开关特性。其主要应用场景包括： 1. 汽车电子系统：广泛用于48V轻混动力（MHEV）车载电源管理，如DC-DC转换器、电动助力转向（EPS）、电子节气门、LED车灯驱动及车身控制模块（BCM）中的负载开关；符合AEC-Q101车规认证，具备高可靠性与抗干扰能力。 2. 工业电源与电机驱动：适用于中小功率BLDC电机驱动（如风扇、泵、小型伺服）、工业开关电源（AC-DC/PFC后级同步整流或DC-DC次级侧）、可编程逻辑控制器（PLC）输出级及固态继电器（SSR）。 3. 消费类与通信设备：用于高效DC-DC POL（点对点）电源、5G基站板载电源、笔记本电脑/游戏主机的GPU/CPU供电模块（作为下管或同步整流器件），以及USB PD快充适配器中的主开关或同步整流管。 该器件支持10 V标准驱动，兼容主流栅极驱动IC，具备良好的热性能和雪崩耐量，适合高频、高效率、紧凑型设计。
| 参数 | 数值 |
| Id-连续漏极电流 | 20 A |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 产品目录 | 半导体 |
| 描述 | MOSFET N-Channel 40V MOSFET |
| 产品分类 | 分离式半导体 |
| 产品手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPG20N04S4-08_DS_1_0.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30432ba3fa6f012bbf5de5da6bfb |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPG20N04S4-08 |
| 产品型号 | IPG20N04S4-08 |
| Pd-PowerDissipation | 65 W |
| Pd-功率耗散 | 65 W |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 7.6 mOhms |
| Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 商标 | Infineon Technologies |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 7.6 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/箱体 | TDSON-8 |
| 工厂包装数量 | 5000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 汲极/源极击穿电压 | 40 V |
| 漏极连续电流 | 20 A |
| 系列 | IPG20N04 |
| 配置 | Dual |
| 零件号别名 | IPG20N04S408ATMA1 SP000705582 |
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