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详细数据请看参考数据手册
- 型号： IPD90N06S4L-05
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPD90N06S4L-05由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPD90N06S4L-05价格参考。InfineonIPD90N06S4L-05封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPD90N06S4L-05参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPD90N06S4L-05 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IPD90N06S4L-05 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的高性能低压N沟道增强型MOSFET，采用PG-TO252-3封装（DPAK），具有低导通电阻（RDS(on) ≤ 5.0 mΩ @ VGS = 10 V）、高电流能力（ID = 90 A，TC = 25°C）及优化的开关特性。其典型应用场景包括： • 汽车电子系统：广泛用于车载电机控制（如车窗升降、座椅调节、雨刷驱动）、LED车灯调光/开关、DC-DC转换器（如12V→5V/3.3V电源模块）及电池管理系统（BMS）中的充放电保护开关；符合AEC-Q101汽车级可靠性标准。 • 工业电源与电机驱动：适用于中小功率开关电源（SMPS）、伺服驱动器、变频器输出级、PLC数字输出模块及继电器替代方案，凭借低导通损耗和高热稳定性提升能效与可靠性。 • 消费类与通用电源：用于PC主板/显卡供电（VRM）、USB PD快充次级同步整流、电动工具电池包保护电路（过流/短路保护）等需高效率、紧凑设计的场合。 该器件支持逻辑电平驱动（VGS(th) ≈ 1.0–2.0 V），兼容3.3V/5V MCU直接控制，且具备内置ESD保护与雪崩耐量（EAS = 420 mJ），适合高频硬开关应用。需注意PCB散热设计以确保结温不超175°C。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPD90N06S4L-05_DS_10.pdf?folderId=db3a30431a5c32f2011a8084a04a6500&fileId=db3a30431ff98815012038729a180c91 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IPD90N06S4L-05 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | OptiMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 60µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 8180pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 110nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4.6 毫欧 @ 90A，10V |
| 供应商器件封装 | PG-TO252-3 |
| 其它名称 | IPD90N06S4L05ATMA1 |
| 功率-最大值 | 107W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 90A （Tc） |
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