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- 型号： IPD75N04S406
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPD75N04S406由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPD75N04S406价格参考。InfineonIPD75N04S406封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPD75N04S406参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPD75N04S406 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IPD75N04S406 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用PG-TO252-3（DPAK）封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≤ 6.0 mΩ @ VGS = 10 V）、高电流能力（ID = 75 A）及优化的开关特性。其典型应用场景包括： - 汽车电子：广泛用于车载电源管理，如车身控制模块（BCM）、座椅/车窗电机驱动、LED前照灯调光与开关、雨刷/风扇驱动等；符合AEC-Q101车规认证，具备高可靠性与抗扰性。 - 工业控制：适用于DC-DC降压转换器（Buck）、电机驱动（如BLDC控制器中的低边开关）、继电器替代、电源热插拔保护及PLC输出级驱动。 - 消费类与嵌入式电源：用于大电流USB PD适配器、快充模块、服务器/通信设备的POL（负载点）电源、电池保护电路（如电子保险丝eFuse）等。 该器件支持10 V标准驱动，亦可兼容4.5 V逻辑电平（RDS(on) ≤ 8.5 mΩ），便于与MCU或栅极驱动IC直接配合；内置体二极管具有良好的反向恢复特性，有助于降低开关损耗与EMI。其稳健的雪崩耐量（UIS）和过温保护兼容性，进一步提升了系统在瞬态过载或短路工况下的安全性。
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