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详细数据请看参考数据手册
- 型号： IPD75N04S4-06
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPD75N04S4-06由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPD75N04S4-06价格参考。InfineonIPD75N04S4-06封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPD75N04S4-06参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPD75N04S4-06 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IPD75N04S4-06 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的单通道N沟道增强型逻辑电平MOSFET，采用PG-TO252-3（DPAK）封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≤ 6.8 mΩ @ VGS = 10 V）、40 V耐压、75 A连续漏极电流（TC = 25°C）等特性，内置续流二极管，具备良好的热性能与雪崩耐量。 其典型应用场景包括： ✅ 汽车电子：广泛用于车身控制模块（BCM）、车灯驱动（如LED前照灯、尾灯开关）、电机控制（散热风扇、雨刮器、座椅调节）、DC-DC转换器（12 V系统降压供电）等，符合AEC-Q101汽车级可靠性标准； ✅ 工业电源与负载开关：适用于高效率DC/DC模块、电源管理单元（PMU）、智能配电盒（Smart Junction Box）中的高侧/低侧开关； ✅ 消费类与家电：用于大功率开关电源、电动工具驱动、智能家电（如变频空调压缩机辅助驱动、洗衣机排水泵控制）等需高频、低损耗开关的场合； ✅ 电池管理系统（BMS）：作为充放电保护回路中的主控MOSFET，支持快速响应与低功耗待机。 该器件支持逻辑电平驱动（VGS(th)低至1.0–2.2 V），可直接由MCU或ASIC驱动，简化外围电路；优化的SOA（安全工作区）和鲁棒的短路耐受能力，提升了系统可靠性。适用于中高功率、中高频（≤100 kHz）开关应用，兼顾效率、尺寸与成本优势。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 75A TO252-3-313 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPD75N04S4-06_DS_1_1.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c8994c25e57 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IPD75N04S4-06 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | OptiMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 26µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2550pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 32nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 5.9 毫欧 @ 75A，10V |
| 供应商器件封装 | PG-TO252-3-313 |
| 其它名称 | IPD75N04S406ATMA1 |
| 功率-最大值 | 58W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 75A （Tc） |
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