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- 型号： IPD50R2K0CE
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPD50R2K0CE由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPD50R2K0CE价格参考。InfineonIPD50R2K0CE封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPD50R2K0CE参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPD50R2K0CE 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IPD50R2K0CE 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的高压N沟道增强型CoolMOS™ C7系列功率MOSFET，典型参数为500V耐压、2.0Ω（标称）导通电阻（RDS(on)），采用SOT-223封装，内置体二极管，具备低开关损耗与优异的硬换流鲁棒性。 其主要应用场景包括： ✅ 中小功率离线式开关电源（SMPS）：如手机/笔记本适配器、LED驱动电源、家电待机电源等，适用于反激（Flyback）或准谐振（QR）拓扑，兼顾效率与成本。 ✅ 工业辅助电源与控制电路：为PLC模块、传感器供电、继电器驱动等提供可靠、紧凑的DC-DC隔离或非隔离降压方案。 ✅ 电机控制中的低压侧开关：在≤10W风扇、小型步进/直流电机驱动中作为PWM开关元件（需注意电压裕量及散热）。 ✅ LED照明恒流驱动：用于初级侧开关调节，支持高功率因数（PFC）预稳压或非隔离LED恒流拓扑。 该器件强调高可靠性、低EMI和宽温度范围（-40℃~150℃），但因SOT-223封装热阻较高（RthJA≈60 K/W），不适用于持续大电流或高功率密度场景；推荐工作电流≤0.5A（连续），脉冲电流≤1.5A。设计时需优化PCB铜箔散热并避免临近热源。 综上，IPD50R2K0CE是面向成本敏感、空间受限且对能效有基本要求的中低功率电源与控制应用的理想选型。
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