Datasheet下载- 型号： IPD50N04S4-08
- 制造商： Infineon
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPD50N04S4-08由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPD50N04S4-08价格参考￥1.51-￥1.54。InfineonIPD50N04S4-08封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPD50N04S4-08参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPD50N04S4-08 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IPD50N04S4-08 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用PG-TO252-3（DPAK）封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≤ 8.5 mΩ @ VGS = 10 V）、40 V耐压、50 A连续漏极电流（TC = 25°C）等特性，内置续流二极管，具备良好的开关性能与热稳定性。 其典型应用场景包括： ✅ 汽车电子：广泛用于车身控制模块（BCM）、车灯驱动（如LED前照灯/尾灯调光与开关）、雨刷电机、座椅调节、风扇控制等12 V车载系统，符合AEC-Q101汽车级可靠性标准； ✅ 工业电源与负载开关：适用于DC-DC转换器次级侧同步整流、电源管理单元（PMU）中的高边/低边开关、继电器替代方案及过流保护电路； ✅ 消费类与家电：用于电动工具电池保护板、智能插座、打印机电机驱动、小型白色家电（如水泵、压缩机启停控制）等中功率开关场合； ✅ 通信设备：在基站电源、PoE（以太网供电）受电端（PD）的输入保护与热插拔电路中提供高效、可靠的功率切换。 该器件优化了开关损耗与导通损耗平衡，支持高频PWM驱动（如数百kHz），且DPAK封装便于PCB布局与散热设计，适合空间受限但需稳定可靠功率控制的中低压（≤40 V）、中电流（≤50 A）应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3-313MOSFET N-Channel 40V MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 50 A |
| Id-连续漏极电流 | 50 A |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 产品手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPD50N04S4-08_DS_1_0.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c847b245e45 |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPD50N04S4-08OptiMOS™ |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPD50N04S4-08_DS_1_0.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c847b245e45 |
| 产品型号 | IPD50N04S4-08 |
| Pd-PowerDissipation | 46 W |
| Pd-功率耗散 | 46 W |
| Qg-GateCharge | 17.2 nC |
| Qg-栅极电荷 | 17.2 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 7.9 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 7.9 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 40 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 3 V |
| 上升时间 | 7 ns |
| 下降时间 | 6 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 17µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1780pF @ 6V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 22.4nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 7.9 毫欧 @ 50A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PG-TO252-3-313 |
| 其它名称 | IPD50N04S408ATMA1 |
| 典型关闭延迟时间 | 5 ns |
| 功率-最大值 | 46W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Infineon Technologies |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 50A （Tc） |
| 系列 | IPD50N04 |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | IPD50N04S408ATMA1 SP000711450 |
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