图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
- 型号： IPD135N03LG
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPD135N03LG由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPD135N03LG价格参考。InfineonIPD135N03LG封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPD135N03LG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPD135N03LG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies 的 IPD135N03LG 是一款采用PG-TSDSON-8（小型表面贴装）封装的N沟道增强型逻辑电平MOSFET，具有30V耐压、135A连续漏极电流（Tc=25°C）、极低导通电阻（RDS(on)典型值仅2.4mΩ @ VGS=4.5V），并集成肖特基体二极管，具备优良的开关性能与热稳定性。 其主要应用场景包括： ✅ 汽车电子系统：广泛用于车载DC-DC转换器、LED车灯驱动（前照灯/尾灯）、电机控制（如电子风扇、油泵、水泵）、车身控制模块（BCM）中的高效率负载开关；符合AEC-Q101汽车级可靠性标准，支持-40°C至175°C结温工作。 ✅ 工业电源与服务器电源：适用于高密度同步整流BUCK转换器、OR-ing电路、热插拔保护及冗余电源管理，凭借低RDS(on)和快速开关特性显著提升能效与功率密度。 ✅ 消费类高功率设备：如电动工具、无人机电调（ESC）中的半桥/全桥驱动、便携式储能系统（ESS）的电池保护与充放电回路。 该器件支持逻辑电平驱动（4.5V即可充分导通），简化了栅极驱动设计，降低系统成本；紧凑封装利于PCB空间优化，适合自动化贴装。综上，IPD135N03LG是面向中高压、大电流、高可靠性需求的汽车与工业电源应用的理想单管MOSFET选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPD135N03LG_rev1.04.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42730253bcb |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IPD135N03LG |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | OptiMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1000pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 10nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 13.5 毫欧 @ 30A，10V |
| 供应商器件封装 | PG-TO252-3 |
| 其它名称 | IPD135N03LGINDKR |
| 功率-最大值 | 31W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 30A （Tc） |
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