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IPB80N04S3-04产品简介:
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IPB80N04S3-04 是英飞凌(Infineon Technologies)推出的N沟道增强型功率MOSFET,采用PG-TO263-3封装(D²PAK),具有低导通电阻(RDS(on) ≤ 4.0 mΩ @ VGS = 10 V)、高电流能力(ID = 80 A,TC = 25°C)及优异的开关性能。其典型应用场景包括: - 汽车电子:广泛用于车载电机控制(如电子助力转向EPS、冷却风扇、油泵驱动)、DC-DC转换器(如12V/48V双向转换)、车身控制模块(BCM)中的负载开关与LED驱动;符合AEC-Q101车规认证,具备高可靠性与抗干扰能力。 - 工业电源与电机驱动:适用于中大功率开关电源(SMPS)、UPS逆变器、工业变频器及BLDC电机驱动电路,尤其适合高频硬开关或同步整流拓扑,提升系统效率与功率密度。 - 消费类与通信设备:用于服务器电源、5G基站电源模块、电动工具电池管理系统(BMS)中的主开关或保护开关,支持快速响应和过流/短路保护。 该器件集成优化体二极管,具备良好的反向恢复特性,可降低开关损耗与EMI;同时支持10 V标准驱动,兼容主流栅极驱动IC。综上,IPB80N04S3-04是面向高效率、高可靠性中高压(40 V)大电流应用的理想功率开关器件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3MOSFET N-CH 40V 80 A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 80 A |
| Id-连续漏极电流 | 80 A |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 产品手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPP_B_I80N04S3-04_DS_1_0.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304412b407950112b42ba313458f&sId=db3a30433a047ba0013a052eea1f007c |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPB80N04S3-04OptiMOS™ |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/Infineon-IPP_B_I80N04S3_04-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304412b407950112b42ba313458f&ack=t |
| 产品型号 | IPB80N04S3-04 |
| Pd-PowerDissipation | 136 W |
| Pd-功率耗散 | 136 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 3.9 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 3.9 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 40 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 12 ns |
| 下降时间 | 10 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 90µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5200pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 80nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 3.8 毫欧 @ 80A,10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PG-TO263-3 |
| 其它名称 | IPB80N04S3-04CT |
| 典型关闭延迟时间 | 30 ns |
| 功率-最大值 | 136W |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 商标 | Infineon Technologies |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 80A (Tc) |
| 系列 | xPB80N04 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | IPB80N04S304ATMA1 SP000261217 |