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- 型号： IPB80N04S2-H4
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPB80N04S2-H4由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPB80N04S2-H4价格参考。InfineonIPB80N04S2-H4封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPB80N04S2-H4参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPB80N04S2-H4 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IPB80N04S2-H4 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用PG-TO263-3封装，具有低导通电阻（RDS(on)典型值仅3.0 mΩ @ VGS=10V）、高电流能力（ID = 80 A）和优化的开关特性。其应用场景主要集中于中高功率、高效率的直流开关与电源管理领域： - 汽车电子：广泛用于车载DC-DC转换器（如12V/48V双向转换）、电动助力转向（EPS）、车身控制模块（BCM）中的负载开关及电机驱动；符合AEC-Q101车规认证，具备高可靠性与抗干扰能力。 - 工业电源与服务器电源：作为同步整流管或主开关管，应用于通信电源、服务器VRM（电压调节模块）、UPS及POL（负载点）电源，提升转换效率并降低温升。 - 电机驱动：适用于中小功率无刷直流（BLDC）电机控制器（如风机、泵类、电动工具），支持高频PWM驱动与快速关断。 - 电池管理系统（BMS）：用于电池保护电路中的充放电主回路开关，配合保护IC实现过流、短路及反接防护。 该器件集成优化体二极管，具备良好的反向恢复特性，可减少开关损耗与EMI；其H4后缀代表“High Speed”版本，兼顾导通性能与开关速度，适合硬开关拓扑（如BUCK、LLC副边同步整流等）。需注意PCB散热设计与驱动电路匹配（推荐栅极驱动电压10–15 V），以充分发挥其性能优势。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3MOSFET OptiMOS PWR TRANST 40V 80A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 80 A |
| Id-连续漏极电流 | 80 A |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 产品手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPP_B_I80N04S2-H4_DS_1_1.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42b79094525 |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPB80N04S2-H4OptiMOS™ |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPP_B_I80N04S2-H4_DS_1_1.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42b79094525 |
| 产品型号 | IPB80N04S2-H4 |
| Pd-PowerDissipation | 300 W |
| Pd-功率耗散 | 300 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 3.7 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 3.7 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 40 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 63 ns |
| 下降时间 | 22 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4400pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 148nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3.7 毫欧 @ 80A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PG-TO263-3 |
| 其它名称 | IPB80N04S2H4ATMA1 |
| 典型关闭延迟时间 | 46 ns |
| 功率-最大值 | 300W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Infineon Technologies |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 80A （Tc） |
| 系列 | IPB80N04 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | IPB80N04S2H4ATMA1 SP000218165 |
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