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详细数据请看参考数据手册
- 型号： IPB60R250CP
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPB60R250CP由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPB60R250CP价格参考。InfineonIPB60R250CP封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPB60R250CP参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPB60R250CP 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IPB60R250CP 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的600V、250mΩ（典型值）的N沟道增强型高压CoolMOS™ C7系列功率MOSFET，采用TO-263（D²PAK）封装。其核心优势在于高效率、低开关损耗与优异的硬换流鲁棒性，适用于中高功率、高频开关场景。 典型应用场景包括： ✅ 服务器与通信电源：用于AC-DC PFC（功率因数校正）级和LLC谐振变换器的主开关，提升能效（满足80 PLUS Titanium/Platinum标准）； ✅ 工业开关电源与UPS：在1–3kW功率等级中实现紧凑设计与高可靠性； ✅ 太阳能逆变器：适用于组串式逆变器的DC-DC升压级或辅助电源，兼顾效率与热稳定性； ✅ 电动汽车车载充电机（OBC）：作为PFC或DC-DC隔离级开关器件，支持宽输入电压范围及高开关频率（达100–300kHz）； ✅ 电机驱动与工业变频器：在中小功率（如风机、泵类）的逆变输出级中提供快速响应与低导通损耗。 该器件集成超结（Superjunction）结构，具备低Qg、低Eoss特性，配合英飞凌驱动IC（如1ED系列）可优化EMI与系统动态性能。需注意其栅极阈值电压（VGS(th) ≈ 3.5V）较低，建议使用≥12V驱动电压并加强负压关断（如–5V）以确保可靠关断与抗干扰能力。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 650V 12A TO263-3MOSFET COOL MOS N-CH 600V 0.250Ohms |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 12 A |
| Id-连续漏极电流 | 12 A |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPB60R250CPCoolMOS™ |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPB60R250CP_rev2.1.pdf?folderId=db3a30431ff98815012019af55de3f2c&fileId=db3a304320896aa201208b2fd3ce0087 |
| 产品型号 | IPB60R250CP |
| Pd-PowerDissipation | 104 W |
| Pd-功率耗散 | 104 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 250 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 250 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 17 ns |
| 下降时间 | 12 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 440µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1200pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 35nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 250 毫欧 @ 7.8A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25318 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | P-TO263-3 |
| 其它名称 | IPB60R250CPATMA1 |
| 典型关闭延迟时间 | 110 ns |
| 功率-最大值 | 104W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Infineon Technologies |
| 商标名 | CoolMOS |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 650V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 12A （Tc） |
| 系列 | IPB60R250 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | IPB60R250CPATMA1 SP000358140 |
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