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- 型号： IPB45N04S4L-08
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPB45N04S4L-08由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPB45N04S4L-08价格参考。InfineonIPB45N04S4L-08封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPB45N04S4L-08参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPB45N04S4L-08 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IPB45N04S4L-08 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的高性能低压N沟道增强型功率MOSFET，采用PG-TO263-3（D²PAK）封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≤ 4.8 mΩ @ VGS = 10 V）、高电流能力（ID = 45 A）及优化的开关特性。其典型应用场景包括： 1. 汽车电子系统：广泛用于车载DC-DC转换器、电机驱动（如车窗升降、座椅调节、冷却风扇控制）、LED车灯驱动及电池管理系统（BMS）中的充放电开关，符合AEC-Q101汽车级可靠性标准； 2. 工业电源与电机控制：适用于伺服驱动器、变频器、PLC输出模块及工业开关电源的同步整流与功率开关环节，支持高频高效工作； 3. 消费类电源设备：在高能效适配器、USB PD快充方案、无线充电发射端等中作为主开关管或同步整流管； 4. 电动工具与家电：用于无刷直流（BLDC）电机控制器中的半桥/全桥功率级，满足高功率密度与热稳定性要求。 该器件具备优异的雪崩耐量、低栅极电荷（Qg ≈ 42 nC）和快速开关性能，配合英飞凌OptiMOS™ 4技术，在12V–48V中低压系统中实现高效率与高可靠性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 45A TO263-3-2MOSFET N-Channel 40V MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 45 A |
| Id-连续漏极电流 | 45 A |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 产品手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPP_B_I45N04S4L-08_DS_1_0.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c4cfa545d87&sId=db3a30443af502c7013b1efa40ce2a36 |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPB45N04S4L-08OptiMOS™ |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPP_B_I45N04S4L-08_DS_1_0.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c4cfa545d87 |
| 产品型号 | IPB45N04S4L-08 |
| Pd-PowerDissipation | 45 W |
| Pd-功率耗散 | 45 W |
| Qg-GateCharge | 23 nC |
| Qg-栅极电荷 | 23 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 7.6 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 7.6 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 40 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 8 ns |
| 下降时间 | 18 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 17µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2340pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 30nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 7.6 毫欧 @ 45A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PG-TO263-3-2 |
| 其它名称 | IPB45N04S4L08ATMA1 |
| 典型关闭延迟时间 | 11 ns |
| 功率-最大值 | 45W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Infineon Technologies |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 45A （Tc） |
| 系列 | IPB45N04 |
| 零件号别名 | IPB45N04S4L08ATMA1 SP000711444 |
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