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- 型号： IPB260N06N3G
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPB260N06N3G由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPB260N06N3G价格参考。InfineonIPB260N06N3G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPB260N06N3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPB260N06N3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IPB260N06N3G 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用PG-TO263-3封装（即D²PAK），具有低导通电阻（RDS(on)典型值仅2.6 mΩ @ VGS=10V）、高电流能力（ID连续达260 A）、优异的开关性能及坚固的体二极管特性。 其典型应用场景包括： ✅ 汽车电子：广泛用于48V轻混动力系统（如DC-DC转换器、电机驱动、启停系统）、电动助力转向（EPS）、车身控制模块（BCM）中的高边/低边开关；符合AEC-Q101车规认证，具备高可靠性与温度鲁棒性（Tj最高175°C）。 ✅ 工业电源与电机驱动：适用于大功率开关电源（如服务器PSU、通信电源）、工业变频器、伺服驱动器及泵/风机等BLDC/PMSM电机的逆变桥臂。 ✅ 可再生能源设备：在光伏逆变器、储能系统（ESS）的DC侧开关与电池管理系统（BMS）主接触器替代方案中，提供高效、低损耗通断控制。 该器件支持10V逻辑电平驱动，兼容主流栅极驱动IC；内置ESD保护与雪崩耐量（EAS达940 mJ），提升系统抗扰性与设计裕度。综合其低RDS(on)、高功率密度和车规级品质，特别适合对效率、散热与长期可靠性要求严苛的中高压（60V）、大电流应用场合。
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