Datasheet下载- 型号： IPB160N04S4-H1
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPB160N04S4-H1由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPB160N04S4-H1价格参考。InfineonIPB160N04S4-H1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPB160N04S4-H1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPB160N04S4-H1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 160 A |
| Id-连续漏极电流 | 160 A |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 产品目录 | 半导体 |
| 描述 | MOSFET N-Channel 40V MOSFET |
| 产品分类 | 分离式半导体 |
| 产品手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPB160N04S4-H1_DS_10.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c39839f5d47&sId=db3a30433afc7e3e013b1ef9e6b75aea |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPB160N04S4-H1 |
| 产品型号 | IPB160N04S4-H1 |
| Pd-PowerDissipation | 167 W |
| Pd-功率耗散 | 167 W |
| Qg-GateCharge | 105 nC |
| Qg-栅极电荷 | 105 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.6 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.6 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 40 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 22 ns |
| 下降时间 | 33 ns |
| 产品种类 | MOSFET |
| 典型关闭延迟时间 | 29 ns |
| 商标 | Infineon Technologies |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/箱体 | D2PAK-6 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 系列 | IPB160N04 |
| 零件号别名 | IPB160N04S4H1ATMA1 SP000711252 |
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