图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
- 型号： IPB100N04S2-04
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPB100N04S2-04由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPB100N04S2-04价格参考。InfineonIPB100N04S2-04封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPB100N04S2-04参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPB100N04S2-04 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IPB100N04S2-04 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-263（D²PAK）封装，具有40V耐压、100A连续漏极电流（Tc=25°C）、极低导通电阻（RDS(on)典型值仅3.0 mΩ @ VGS=10V），并集成优化的体二极管，具备快速开关与强抗雪崩能力。 其典型应用场景包括： ✅ 汽车电子：广泛用于车载DC-DC转换器（如12V/48V双向转换）、电动助力转向（EPS）电机驱动、车身控制模块（BCM）中的高电流负载开关（如车灯、风扇、泵类负载）。该器件通过AEC-Q101认证，满足严苛的车规级可靠性与温度要求（-40°C ~ 175°C结温）。 ✅ 工业电源与电机控制：适用于中大功率开关电源（如服务器PSU、通信电源）、BLDC无刷电机驱动半桥/全桥电路、UPS逆变器输出级，凭借低RDS(on)和优异开关性能，显著提升系统效率与功率密度。 ✅ 电池管理系统（BMS）：作为主回路保护开关或充放电路径控制器件，支持高电流通断与过流/短路快速响应。 该器件特别适合需高效率、高可靠性及高温稳定性的中压、大电流开关应用，是汽车与工业领域替代传统高损耗开关的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPP_B100N04S2-04_green.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42b7ecb452d |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IPB100N04S2-04 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | OptiMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5300pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 172nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3.3 毫欧 @ 80A，10V |
| 供应商器件封装 | PG-TO263-3 |
| 其它名称 | IPB100N04S204ATMA1 |
| 功率-最大值 | 300W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 100A （Tc） |
_renders/IS66WVE4M16EBLL-70BLI.jpg)
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
