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- 型号： IPB097N08N3G
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPB097N08N3G由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPB097N08N3G价格参考。InfineonIPB097N08N3G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPB097N08N3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPB097N08N3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IPB097N08N3G 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的高性能N沟道增强型功率MOSFET，采用PG-TDSON-8封装（顶部散热），具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 9.7 mΩ @ VGS = 10 V）、高电流能力（ID = 90 A，TC = 25°C）及优化的开关特性。其80 V耐压与氮化镓（GaN）兼容的驱动设计（支持3.3 V/5 V逻辑电平）使其广泛应用于中高功率、高效率场景。 典型应用场景包括： ✅ 汽车电子：车载DC-DC转换器（如12V/48V双向转换）、电动助力转向（EPS）电机驱动、车身控制模块（BCM）中的负载开关；符合AEC-Q101车规认证，具备高可靠性与抗扰性。 ✅ 工业电源：服务器/通信电源的同步整流、次级侧开关、POL（点负载）转换器；低RDS(on)与快速开关（tf ≈ 20 ns）可提升能效并减小散热需求。 ✅ 电机驱动：小型BLDC电机（如风机、泵类）的半桥/全桥驱动，支持高频PWM调制（≤100 kHz），降低导通损耗与温升。 ✅ 可再生能源接口：光伏微逆变器、储能系统（ESS）中的DC耦合开关与保护电路。 该器件集成优化的体二极管（反向恢复电荷Qrr低），适用于硬开关与部分软开关拓扑，且TDSON-8封装便于双面散热，适合紧凑型高功率密度设计。
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