【未分类_IPB065N06LG】封装/厂家_IPB065N06LG中文资料_价格

图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

型号： IPB065N06LG
制造商： Infineon
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IPB065N06LG由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPB065N06LG价格参考。InfineonIPB065N06LG封装/规格：未分类，暂无。您可以下载IPB065N06LG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPB065N06LG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies 的 IPB065N06LG 是一款采用 PG-HSOF-8（即 TO-263-7）封装的 60V N 沟道增强型功率 MOSFET，具有超低导通电阻（R_DS(on) 典型值仅 6.5 mΩ @ V_GS = 10 V）、高电流能力（I_D = 90 A）及优化的开关性能。其主要应用场景包括：

- 汽车电子系统：广泛用于车载 DC-DC 转换器（如 12V/48V 双电压系统）、电动助力转向（EPS）、车身控制模块（BCM）中的负载开关与电机驱动，满足 AEC-Q101 认证，具备高可靠性与抗干扰能力；  
- 工业电源与服务器电源：作为同步整流管或主开关管，应用于高效 48V 输入 POL（Point-of-Load）转换器、通信电源和 UPS 系统，提升能效并降低温升；  
- 电机驱动：适用于中小功率无刷直流（BLDC）电机控制器（如风机、泵类设备），支持高频 PWM 驱动与快速关断；  
- 电池管理系统（BMS）：用于高压侧/低压侧保护开关、充放电路径控制，得益于其低 R_DS(on) 和强雪崩耐量（UIS rated），可提升系统安全裕度。

该器件集成优化的栅极电荷（Q_g ≈ 44 nC）与反向恢复特性，兼顾效率与 EMI 性能，特别适合空间受限、高功率密度及严苛环境下的中高压中大电流应用。

产品参数图文手册常见问题