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- 型号： IPB049N06L3G
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPB049N06L3G由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPB049N06L3G价格参考。InfineonIPB049N06L3G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPB049N06L3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPB049N06L3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IPB049N06L3G 是英飞凌（Infineon）推出的60V、4.9mΩ（典型值）、TO-263-7（D²PAK-7）封装的N沟道增强型功率MOSFET，采用OptiMOS™ 3技术。其低导通电阻（RDS(on)）、高电流能力（ID高达120A）及优化的开关性能，使其适用于中高压、高效率、高功率密度的电源转换场景。 典型应用场景包括： ✅ 车载充电机（OBC）：用于AC/DC整流级或DC/DC隔离副边同步整流，提升能效并满足AEC-Q101车规认证要求； ✅ 工业与通信电源：如服务器PSU、5G基站电源中的LLC谐振变换器、同步整流或ORing电路； ✅ 电机驱动：中小功率BLDC或有刷直流电机的H桥下管/上管（配合栅极驱动），支持高频PWM控制； ✅ 太阳能逆变器：组串式逆变器中的DC/DC升压级或MPPT模块，兼顾效率与热管理； ✅ 电动工具与储能系统（ESS）：电池管理系统（BMS）中的充放电主回路开关或保护开关。 该器件具备强雪崩耐受能力、低开关损耗和优化的体二极管反向恢复特性，适合硬开关与软开关拓扑。需注意PCB布局散热设计（大面积铜箔+过孔散热）及合理栅极驱动（推荐12–15V驱动电压，避免米勒平台误导通）。 （字数：398）
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