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- 型号： IPB031NE7N3G
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPB031NE7N3G由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPB031NE7N3G价格参考。InfineonIPB031NE7N3G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPB031NE7N3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPB031NE7N3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IPB031NE7N3G 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的高性能增强型N沟道功率MOSFET，采用PG-TO263-3（D²PAK）封装，具有超低导通电阻（RDS(on) ≈ 3.1 mΩ @ VGS = 10 V）、高电流能力（ID = 120 A）及优异的开关性能与热稳定性。其典型应用场景包括： - 工业电源系统：如服务器/通信设备的高效DC-DC转换器、POL（负载点）模块及ATX/SVR电源中的同步整流与主开关管； - 电机驱动：用于BLDC（无刷直流）电机控制器、伺服驱动器及变频器的逆变桥臂（尤其适用于中小功率、高频PWM调制场景）； - 新能源应用：光伏逆变器的MPPT升压级、储能系统（ESS）双向DC-DC变换器中的主开关； - 汽车电子（符合AEC-Q101）：车载充电机（OBC）、DC-DC转换器、电动助力转向（EPS）等12V/48V系统中对高效率、高可靠性和抗浪涌能力要求严苛的场合。 该器件集成优化的体二极管，具备良好的反向恢复特性，可降低开关损耗与EMI；70V额定电压兼顾安全裕量与系统效率，适用于宽输入电压范围设计。需配合合理PCB布局、散热设计及栅极驱动（推荐±5V–15V驱动电压）以发挥最佳性能。
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